DRAM和NANDFLASH存储芯片自2016年以后经历了持续2年的涨价周期,成为半导体行业景气周期最主要的驱动力,未来存储的周期景气持续时间有多久?这成为影响半导体整体行业景气度的关键变量。我们的判断是:1)DRAM景气周期将比NANDFLASH更长;2)NANDFLASH将于2018年见顶,而DRAM景气高点将在2019年以后。

　　从需求端来看,本轮存储升级最大的来源是云存储、AI计算的爆发增长带来的DRAM和NANDFLASH在服务器中需求大幅增长,同时4G全面推广以后,智能手机拍照分辨率持续提升,带动DRAM和NAND容量持续提升。根据IHS统计,DRAM在2016-2018年保持20%以上的复合增速,而NANDFLASH在2016-2018年保持38%的复合增速。

　　我们认为对于行业景气度影响最大的因素是产能扩张速度,2016和2017年,DRAM和NANDFLASH扩产速度都较慢,供需缺口持续扩大推升了DRAM和NANDFLASH价格。而我们判断,在2018年,随着三星、美光等厂商3DNAND的良率提升,NANDFLASH的产能将会有大幅改善,我们预计18-19年NANDFLASH行业产能增速在45%以上,供需不足的剪刀差将大幅缩小,价格将在2018-2019年持续承压。

　　另外DRAM的产能扩张会比NAND更为温和,其中17、18年主要是以份额相对较小的美光和海力士扩产为主,三星的产能将在18年下半年开出,所以从节奏上来看,18年下半年产能增速会相对较快,考虑到今年开始,国产手机大部分新机内存完成从2GB到3GB、4GB到6GB的升级,我们判断供需矛盾缓解要到2019年以后。

　　从更长的周期来看,未来AI服务器对于DRAM和NANDFLASH的需求量更大,而5G时代到来以后,手机更有望向10GB的DRAM和更大容量存储升级,2019年以后的需求仍然将保持快速增长,NANDFLASH和DRAM在景气高点过去以后,我们判断价格不会出现大幅下滑。

　　回到投资策略,我们继续坚定看好下半年消费电子的复苏行情,首推光学创新,建议关注水晶光电和欧菲科技,立讯精密、顺络电子、信维通信和天通股份我们也推荐关注。

　　风险提示:消费电子行业景气度下滑;行业制造管理成本上升。